福建晋华公开否认美方指控,揭露200亿美元天价罚金背后的秘密

来源: 发布于 2018-11-13  浏览 次  
具有国内自主知识产权的存储 DRAM 技术阵营福建晋华被美方提出最高超过 200 亿美元的罚金,在晋华出面否认美方的指控后,而提出此项指控的美国司法部长杰夫·塞辛斯(Jeff Sessions)已在美国政府的要求下“被辞职”,晋华侵权案陷入僵局。

美方认为,晋华开发的 DRAM 技术中,所掌握到的一些元件特性是无法通过切割芯片元件,用逆向工程(Reverse Engineering)的方式来取得,尤其是一些元件物理特性的掌握,必须要经过多次的实验、试错才能获得正确的答案,但晋华得出结果的过程太容易,美方认为当中有使用到非法取得技术的嫌疑。

图片来源:福建晋华官网

这次晋华中招,期实满满的都是套路,被认为是一报还一报,很多人都认为联电当初在福州法院大动作控告美光侵权,最后导致部分美光产品在国内被禁售,是主要导火线之一。

2018 年 1 月,晶圆代工大厂联电分别向中国福州市中级人民法院递状,对美光半导体(西安)、美光半导体销售(上海)、厦门市思明区信通源计算机经营部、厦门安泰胜电子科技等公司提起 3 起诉讼,请求赔偿金额总计人民币 2.7 亿元,并请求法院判令相关被告停止制造、加工、进口、销售、准许销售被诉侵权产品之行为,且并销毁全部库存及相关模具与工具一事,3 日下午判决结果出炉,福州市中级人民法院判决联电获得胜诉。

图片来源:长江存储官网

而根据中国的法律,申请先行停止侵犯涉案专利权,必须符合以下几个标准;一是申请人有稳定、有效的专利权,二是被申请人的行为经初步判断可以认定为侵权行为,三是侵权行为如不实时制止,将会造成申请人难以弥补的损害。联电此次申请先行停止侵犯涉案专利权,既经获准。可见美光半导体(西安)有限责任公司、美光半导体销售(上海)有限公司等之侵权行为,中国法院已初步判断认定属实。

联电指出,本公司长期投入大量资源及人力,研发半导体制造技术,其成果可用于逻辑芯片或存储器芯片(DRAM)技术基础里的元件设计,是完全不同于美光公司的设计,公司所开发的记忆胞架构历年来已在各国提出申请,获得多项专利。美光公司侵害本公司专利权,已使其对外宣称本公司无存储器芯片之相关技术,而须窃取其营业祕密的指控,不攻自破。

联电表示,很多人认为联电是逻辑技术公司,没有 DRAM 的知识或经验,但这不是事实,在 1996 年~ 2010 年期间,联电也投入 DRAM 产品的技术开发,高峰时内部的 DRAM 团队人数超过 150 人,现任联席 CEO 之一的简山杰在 1996 年时即是 DRAM 产品的 RAM 制程开发经理,且在 2009 年,联电也开发属于自己的嵌入式 DRAM 制程技术,这比制造标准型 DRAM 的过程要复杂得多。

对于晋华的这次指控,怕也是不攻自破,有了美光败诉的事实,美方即使由司法部出面指控,层级直接往上拉,也很难将中国的自主知识产权说成是美国自己的。而且晋华会极力主张自己的立场外,还要考虑联电在胜诉上取得的成功经验。虽然经验不是一成不变的,但没有经验肯定是不行了。

另外,晋华现有的资源让许多半导体同业“垂涎三尺”,甚至业界推测,美光对于“收编”晋华现有的晶圆厂是存在兴趣的,想通过此举再次入驻中国市场,或都采取有点类似过往美光对于台湾存储大厂华亚科技的模式,可以借此获得部分的芯片产能,扩大全球市场占有率。当然第二点真的要靠技术实力来说话。

过去半导体产业也曾发生一件极具震撼力的大事件,就是始于 2003 年台积电控告中芯国际侵犯专利和商业机密。最终该案于 2011 年落幕,历时长达 8 年,代价也是惨重的。

台积电和中芯国际这桩长达 8 年的官司,最后是双方达成和解,但条件是中芯国际要赔偿台积电 2 亿美元,更要无偿授予台积电 8~10% 的中芯国际股份,当时,台积电也成为继上海实业、大唐电信之后,中芯国际的第三大股东。

图片来源:台积电官网

福建晋华 12 寸厂极具价值,已经引进数台 ASML 光刻机,它有完整的 12 寸晶圆厂配备,已经引进上百亿元的机台设备,估计目前机台至少拥有单月 1 万片左右的产能。

再者,晋华也已采购数台荷兰设备大厂 ASML 的光刻机,这些光刻机都已经进驻晋华的 12 寸厂内,可以应对小量的生产规模,处于“箭在弦上”的状态。即使晋华因为该案件终止存储芯片的生产计划,其手上的机台和资源也是十分具有价值。

【本文整合于网络,如有侵权请联系小编删除】